Samsung a anunțat extinderea producției pentru cardurile de memorie tridimensionale (3D) verticale NAND (V-NAND). Chip-urile V-NAND vor fi utilizate pentru SSD-uri, memorii pentru telefoane și tablete precum și pentru cardurile de memorie.
Noul Samsung V-NAND oferă o densitate de 128 gigabiti (Gb) într-un singur cip, folosind structura verticală de celule bazată pe tehnologia 3D Charge Trap Flash (CTF), tehnologie dezvoltată în premieră de Samsung, alături de tehnologia interconectării pe verticală pentru celulele 3D.
În ultimii 40 de ani, cardurile de memorie convenționale au avut la bază structuri plane. Pe măsură ce tehnologia procesului de fabricație a mers la clasa 10nm, a apărut preocuparea pentru o limită de scalare, din cauza interferențelor celulă-la-celulă care generează un compromis în fiabilitatea produselor NAND. Acest lucru a condus la prelungirea timpului de dezvoltare și creșterea costurilor.
Una dintre cele mai importante realizări tehnologice ale noului card Samsung V-NAND este tehnologia procesului de interconectare pe verticală ce poate stoca până la 24 de straturi de celule pe verticală, folosind o tehnologie specială de gravură care conectează electronic straturile prin ștanțarea unor găuri de la cel mai înalt strat până la cel de jos. Cu noua structură verticală, Samsung poate permite o densitate mai mare a cardului de memorie NAND prin creșterea numărului de straturi celulare 3D fără a fi nevoie să se continue scalarea plană.
După aproape 10 ani de cercetare a tehnologiei 3D Vertical NAND, Samsung are acum mai mult de 300 de tehnologii patentate de memorie 3D la nivel mondial.
Samsung V NAND
